mos管导通电流需要多少，三极管和mos管做开关导通的时候电流流向的问题
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-11-01 09:54:31
1，三极管和mos管做开关导通的时候电流流向的问题
三极管导通的时候是 比如 npn 管 发射极 接电源 基极有一定的电压 使其导通，打开了三极管开关的阀门，电流从发射极进入，从基极，集电极流出 。mosfet管N沟道，VG>VS时候导通，在判断VD和VS的大小，哪个大，电流就从哪流向哪 个人理解
2，请教一下MOS管的参数说明 想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎
1，这是P MOSFET管，所以当VGS为负压的时候才会导通2，在VGS=5V时候最大电流，这个不是计算出来的，而是规格书上面有的3，RDS是导通后源极和漏极的导通电阻，从你资料上看，VGS=-10V的时候导通电阻只有75耗欧姆
3，开关电源MOS的导通电流在设计之初怎么确定自己MOS的峰值电流
变压器初级线圈的电感量确定，工作频率确定。这样利用电感公式2πfl就可以了得到线圈在设计频率条件下的阻抗，有了阻抗也就决定了最大电流值。从而得到峰值电流。漏极电流id与漏源电压vds和栅源电压vgs皆有关系。以n沟道增强型mos管为例：当vgs一定时，id随vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象；当vgs>vgsth增加时，id也随之呈增大趋势。以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。其它各型场效应管皆以n沟道增强型mos管为模本，根据其自身特性进行具体分析。
4，驱动MOS管的驱动电流怎样计算
1. Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。
2. 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。
3. 栅极未加电压（或电压小于Vth）时，管子关闭，电阻很大，12V电压基本全部加在管子上，R12上电压很小，电路电流为几乎为0；栅极电压大于开启电压时，管子导通，电阻迅速变小，R12分得部分电压，电路中产生电流。此电流大小既满足欧姆定律（电阻电流电压方程），也满足萨支唐方程（管子电流电压方程），即上下电流相同，满足电流一致性。
4. 二极管起保护作用。当漏源电压较大时，在管子发生源漏穿通之前，二极管先发生反向击穿，从而保护了管子。
5. 如果二极管为稳压管的话，就是用来恒定漏源电压的，从而通过选择稳压管可以设置电流的大小。此时流过R12的电流等于流过二极管的电流与流过管子的电流之和，满足基尔霍夫电流定律，即流入节点的电流等于流出节点的电流。
5，开关电源中选用mos管时要注意哪些参数
在oring fet应用中，mos管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时 。 相比从事以开关为核心应用的设计人员，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，mos管只相当于一个导体。因此，oring fet应用设计人员最关心的是最小传导损耗。 低rds(on) 可把bom及pcb尺寸降至最小 一般而言，mos管制造商采用rds(on) 参数来定义导通阻抗;对oring fet应用来说，rds(on) 也是最重要的器件特性。数据手册定义rds(on) 与栅极 (或驱动) 电压 vgs 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on) 是一个相对静态参数。 若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个oring mos管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联mos管，以有效降低rds(on)。 需谨记，在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻 。因此，一般来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用mos管的数目减至最少。 除了rds(on)之外，在mos管的选择过程中还有几个mos管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(soa)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，soa定义了mosfet能够安全工作的电源电压和电流。在oring fet应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下fet的电流传送能力。实际上无需soa曲线也可以获得漏极电流值。 若设计是实现热插拔功能，soa曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，mos管需要部分导通工作。soa曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。 注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的mos管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直mos管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用powerqfn封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，rθjc 定义了裸片与封装系统的热效应。rθja 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与pcb设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。
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