1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。 开启的阈值电压4-5V。 关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，mos参数问题

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。

mos参数问题

3，2SK386管的驱动电压是几伏

指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Ugs(th)MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏。这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压，如果要形成比较完整的沟道，电压往往要上升到10V左右才好，否则通体电阻会比较大。2SK386管电气参数如下：
不知道
0.8V左右
0.7V左右。
200万
0.8V左右再看看别人怎么说的。再看看别人怎么说的。

2SK386管的驱动电压是几伏

4，请教mos驱动电压问题

这个问题不难啊!! 不一定限定在10V遇到难题要学会转弯加个7812就可以得到12V 了瞬间电流大, 加一点点电容就OK电容可以提供瞬间电流啊
一般驱动电压开13V关负5V 吧?
可以用7660集成电路来升压，但是输出电容要大一些如1000U，这样就可以驱动VMOS管子了。VMOS管子栅极充电是瞬间的，可以靠电容放电解决，不需要1A电源的。
一般使用的驱动电源 --- 高阀值的FET，是12V，虽然电流很大，但那是瞬间的，只要有个瓷片电容并上就行。
看下datasheet，最低10V 看看28V可不可以直接用~~，不行的话，整个降压的DC-DC吧，升压感觉不太划算..电阻分压貌似电流会很小的...
datasheet上都会讲清楚的 很多用图表示

5，mos 开启电压 08v吗

各种MOSFET多了去了，不同种类不同工艺的开启电压都不一样。一般来说特征尺寸越小的工艺开启电压越低，例如65nm的管子开启电压只有大约0.3~0.4V。0.8V的开启电压大概是0.5um工艺以上了。（对于IC，分立元件还不一定）具体使用的时候必须先看说明文档。
根据功率，和其他要求，开启电压也有所不同，一般是0.3V到3v左右
你好！各种MOSFET多了去了，不同种类不同工艺的开启电压都不一样。一般来说特征尺寸越小的工艺开启电压越低，例如65nm的管子开启电压只有大约0.3~0.4V。0.8V的开启电压大概是0.5um工艺以上了。（对于IC，分立元件还不一定）具体使用的时候必须先看说明文档。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
管子不同门槛电压不同，我用过的一般最小2V,还是大点好，否则管子内诅很大
是根据工作电压的0.3
不是，一般在2v左右，详细的建议查看具体datasheet

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