半导体二极管电压是多少，半导体二极管硅管的导通电压是多少
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-08-01 00:35:08
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1，半导体二极管硅管的导通电压是多少
您好，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~1.2V
2，半导体二极管硅管的导通电压是多少
正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~1.2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。 
3，不论哪种类型的半导体二极管其正向电压都为03左右吗
不是的。常见的有锗和硅二类半导体二极管。锗二极管的正反电压为0.3伏左右，而硅二极管的正反电压为0.7伏左右。只有锗材料二极管的正向压降才是0.3v左右，硅材料二极管的正向压降在0.7v左右。
4，二极管的额定电压是多少
我们常常说的二极管的额定电压是实际上指的是二极管的反向击穿电压，正向导通时只有死角电压，即锗二极管大于0.3V，硅二极管大于0.7V。起始的意思就是二极管能导通的最低电压，一般硅材料的为0.4-0.5，我记得不是很清楚了，书上都有详细的
5，二极管两端的电压是多少
整流管分锗管和硅管，锗管（指的是整流管）有电流流过时，二极管两端电压是0.3V左右，硅管是0.7V，如果是稳压管，那正向导通也是同上，如果作为稳压使用时，那电压就是它的稳压值。如果是锗二极管是0.3v,硅二极管是0.7v,这有二极管本身性质决定，再者，电源本身不可能是理想电源
6，半导体二极管的导通电压是多少
二极管有正向和反向的区别，不同材质也会有所不同，一般正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~1.2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。锗二极管的导通压降在0.15-0.2v，硅二极管的导通压降在0.5-0.7v，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3v。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。锗二极管的导通压降在0.15-0.2v，硅二极管的导通压降在0.5-0.7v，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3v。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。
7，二极管两端电压
伏安特性曲线用来进一步描述二极管的单向导电特性。当把稳压二极管接在电源上，二极管两端的电压为电源电压。因为当稳压二极管在没有达到反向击穿前它是处于高阻态的，这时候他和普通二极管是一样的,处于反向截止状态，此时稳压二极管是断开的,所以二极管两端的电压为电源。扩展资料：稳压二极管原理稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。参考资料：搜狗百科-稳压二极管不错两个问题是相关联的，我来逐一回答。首先我先声明，我这里将你的二极管理解为稳压二极管，即反向击穿后电压恒定的二极管。 1.不错，二极管在反向击穿后用来稳压，但你要明白它稳压的原理。他的U-I曲线在反向击穿时趋近于一条直线，但你要明白，那并不是一条直线。这条曲线意味着，当电流增加很多时，他的电压变化会很小，这种行为表现出来就是近似的稳压——无论你外界电流怎么变，我的电压都变化很小。因此，伏安特性曲线意义非凡——第一，他说明了这个稳压管的稳压适用范围：什么时候反向击穿开始稳压，什么时候会被彻底击穿报废；第二，他说明了稳压管的稳压性能，曲线越陡，稳压性能越好。 2.你要明白，任何电压源都不是理想的，都是有内阻的。如果把二极管和电源接上，那么最终效果要看电源的能力和稳压管的能力。一般情况下，如果没有发生短路保护（前提是你得把限流开的很大，这很危险，建议你不要亲自试，除非仪器性能比较好，而且测试时间务必要非常短！！），那么稳压二极管的两端将是他的稳压值，而大量的电压消耗在那个电源内阻上，导致整个环路通过大量电流。这个情况是不会持久的，原因很简单，这会导致电源内阻和二极管同时释放大量功率，一会儿之后，不是你的稳压管烧坏，就是你的电源烧坏，回答完毕，注意以上情况都是二极管不会被高电压击穿的前提下的。有不懂可以继续提问，祝楼主好运。是你的问题厂家接的是对的，这种led也叫发光二极管 就像普通二极管正对正接不导通 负对负也不导通 除非正负接才能导通.测量led时 红笔对led负.黑对正才能有阻值。红笔是负极 黑是正极.....二极管特性 单向导通 只有电压从二极管负极流向正极才能导通。
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