1，请问当IRF520场效应管MOS管的控制电压在多少伏时内阻最

当IRF520场效应管的GS控制电压在10伏时，内阻最小，可达0.23欧姆。
12Ⅴ

请问当IRF520场效应管MOS管的控制电压在多少伏时内阻最

2，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

3，MOS管G极电压为10V时负载RS两端电压只有10V怎么才能让

把电阻RS接到场馆的漏极（D极）与正电源之间即可。这样G极加上3~4V即可导通，RS上即可得到36V电压。如有帮助请采纳，或点击右上角的满意，谢谢！！
搜一下：MOS管G极电压为10V时，负载RS两端电压只有10V，怎么才能让MOS管完全打开

MOS管G极电压为10V时负载RS两端电压只有10V怎么才能让

4，MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低

MOS管PDF中都有一个Vth的参数，这个参数是MOS开通的门限电压，当MOS管GS两端电压低于此电压时为低，高于此电压时开始导通，当高于Vmiller（这个PDF中不一定有）电压后完全导通。
搜一下：MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低？

5，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。
你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
大约1.2v。。。。。。。。。。
从电路上看，大概11V左右。

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