1,电路中mos管的驱动电压是指vgsth吗

vgsth 如果是 N-MOS管指大于这个电压mos管才开始导通

电路中mos管的驱动电压是指vgsth吗

2,例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

可以完全开启,但是等效电阻会大那么一点点,如果负载电流很大,MOS发热就相对厉害一点。
我是来看评论的

例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

3,N沟道MOS管的datasheetVGSth Min06V Max12V 请问什么意思

指的是开启电压,最小0.6V,最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压(GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通,这个电压就是开启电压)从0.6到1.2V之间,每个管子都有所不同,这是制造时的离散性造成的。

N沟道MOS管的datasheetVGSth Min06V Max12V 请问什么意思

4,这个mos管Vgs电压是多少伏的情况下工作在饱和状态和放大状态

MOS管的饱和与否,不是只看一个UGS参数,而是要与UDS结合起来看。 如果不考虑击穿特性的话(也就是MOS管的第4个区,雪崩区也就是击穿区,这部分内容要参考《电力电子技术》),那么基本上可以认为,在图右边UGS曲线比较平缓的部分都是恒流区,顺着曲线往左边走,会有一个预夹断点,也就是Uds=Ugs-Ugs(th),这个点就是可变电阻区和恒流区的分界线,过了这个点就可以认为是可变电阻区了。

5,请问当Vgs栅源间电压0v时耗尽型mos管的等效电阻是多大

如果是n型mos管,当Vgs(栅源间电压)=0v时,在衬底中没有形成反型层,所以是在mos管的截止区,是没有Id的。但当是p型mos管,当Vgs(栅源间电压)=0v时,如果是耗尽型mos管,那么根据一般的参数(拉扎维模拟cmos集成电路设计书上的),Vth(开启电压)=-0.8V,Vgs-Vth<<0,故器件还是没有导通,所以Id仍为0。
耗尽型的MOS管,在Vgs=0v时,反型层就存在,这时若有漏电压Vds,就有电流Id,具体多少,得有相关参数,才能确定。
你好!很高深。希望对你有所帮助,望采纳。

6,请大侠帮忙请问VGSTH开启电压23V NMOS封装SOT23常

2N7002 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFETSOT23 (TO-236AB)VGSth gate-source threshold voltageID = 0.25 mA; VDS = VGS; Tj = 25 °C; 1 2 2.5 VID = 0.25 mA; VDS = VGS; Tj = 150 °C; 0.6 - - VID = 0.25 mA; VDS = VGS; Tj = -55 °C; - - 2.75 V
这个很少啊~大部分都是4.5V以上的....
2N60开启电压2~4V,不过是TO封装的
你好!ZVN3310FTA-SOT23-NMOS如果对你有帮助,望采纳。

7,N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压漏源两极的电压VDS

1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的。2、第三个式子是从第二个推导出来的。3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。(1)首先设定UDS为0,然后慢慢增加UGS,等到UGS〉UGS(th),管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了。(2)当UGS为大于UGS(th)的某个特定值,然后增加UDS。当UDS<UGS-UGS(th)时, 管子就等效为一个可变电阻,电阻值的大小与UGS有关系,UGS越大,电阻越小。(3)当UDS=UGS-UGS(th)时,就出现了预夹断,这也就是可变电阻区(饱和状态)与恒流区(放大状态)的分界线。(4)当UDS>UGS-UGS(th),此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了,基本上维持恒定,只与UGS有关系,UGS越大,电流越大。我不太喜欢用UGD表示,还是用UDS和UGS表示比较直观。模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来,也有很多是从实验结果获得的。
1、ugd=ugs-uds,这是定义,没有什么好说的。 2、第三个式子是从第二个推导出来的。 3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。 (1)首先设定uds为0,然后慢慢增加ugs,等到ugs〉ugs(th),管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了。 (2)当ugs为大于ugs(th)的某个特定值,然后增加uds。当udsugs-ugs(th),此时管子的电流就不会随着uds变化而变化了,基本上维持恒定,只与ugs有关系,ugs越大,电流越大。 我不太喜欢用ugd表示,还是用uds和ugs表示比较直观。 模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来,也有很多是从实验结果获得的。
倒数第二个式子是假设的条件,都数第一个式子是根据上个式子倒出来的

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