1，单片机加MOS管驱动efd15变压器升压 求升到3KV交流最大电流能

你磁芯材料，这个频率太低，损耗太大了，你试试频率升高到20K以上，MOS管可以上50K以上的，单端电路占空比可以用80%，推挽可以2*40%
支持一下感觉挺不错的

单片机加MOS管驱动efd15变压器升压 求升到3KV交流最大电流能

2，什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上额定电流最好有几十

100kHz并不是太高的，你只要考虑电流就行了，像IRFP250能达到30A的！手打不易，如有帮助请采纳，谢谢！！
别的牌子不清楚，但东芝肯定有。mos管本来就以开关频率高见长，所以你还要给出另一个参数，电压要求是多少呢？600v? 900v?

什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上额定电流最好有几十

3，变压器驱动最大频率

如果使用变压器的原生频率的话最大就是50H，如果仅做隔离的话，一般的普通铁芯变压器可以做到300-600KH左右，氧化芯的可以做到1.6-3MH。
为什么一定要用变压器呢
变压器频率越高，效率越高，这句话要正确理解。1、理想变压器的效率是100%，实际变压器之所以效率不能达到100%，主要是因为有铁耗和铜耗。2、铁耗与铁芯有关，与铁芯的涡流损耗与迟滞损耗有关。相对而言，频率越高，铁芯的磁通密度越低，铁芯损耗越小，效率越高。3、频率不能无限制的上升，频率过高，磁密过低，铁芯工作于弱磁区，变压器输入电流会产生严重的畸变。4、频率上升之后，趋肤效应增强，绕组的等效直流电阻变大，变压器的铜耗变大，虽然铁耗降低，但是，整体效率不一定变高。5、100ghz的信号，由于电感的影响，变压器即便效率很高，但是，一定的电压下，已经很难产生较大的电流，变压器不能传递较大的能量，高效率失去意义。

变压器驱动最大频率

4，W20NK50Z MOS管可以工作在放大状态吗他的频率是多少

电阻调节电路工作点电感滤波，调节谐振频率三极管可以放大电压三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。

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