半桥驱动死区时间为多少合适，如何知道一个场效应管的死区时间是datasheet里面的Reverse

1，如何知道一个场效应管的死区时间是datasheet里面的Reverse

Reverse Recovery Time是反转恢复时间；场效应管没有死区时间吧，你是不是说的是场效应的驱动器件，那个就有死区时间，比如半桥驱动那些，死区时间：dead time

Reverse Recovery Time是反转恢复时间；场效应管没有死区时间吧，你是不是说的是场效应的驱动器件，那个就有死区时间，比如半桥驱动那些，死区时间：dead time再看看别人怎么说的。

死区时间不是场效应管定的而是由场效应管的驱动定的驱动一般是由PWM IC(或者间接控制)控制的

如何知道一个场效应管的死区时间是datasheet里面的Reverse

2，电机调试中的死区时间设置多少比较合适

那要看电机的容量是不是很大，还有负载与电机的比率，如果比率大的话启动时间长一点，如果比率小的话启动时间短一点。

电机调试中的死区时间设置多少比较合适

3，死区的概念及设计方法

死区主要是针对IGBT开关管来说的，理想情况下，逆变器的单桥臂的IGBT总是互补地导通和关断。但由于IGBT在关断过程中，存在拖尾效应，故关断时间比开通时间相对较长。若在关断过程中，同一桥臂上地IGBT立即导通，则必然导致直流母线电压直通而损害IGBT。这在高频开关电路显更为显著，因此，在实际应用中，使同一桥臂的上下IGBT的导通和关断错开一定的时间，即死区时间，以保证同一桥臂的上下IGBT总是先关断后导通。注入死区时间地方法有多种，如对称式，混合式、延时导通以及提前导通补偿等。但最简单的实现方法是延时导通。硬件上可采取一个RC延时和一个或门来实现；软件则可直接调用延时程序来实现；对于2000系列DSP来说，可直接设置死区时间。

当前由功率开关管组成的桥式，半桥式的开关电路的驱动电路中，为了防止两个功率管在一个瞬间出现连接电源的正负极之间的同时导通事件。驱动电路在分别驱动两个功率管栅极的时间顺序中间插入一段由硬件逻辑控制的两个功率管全部截止一段时间的控制设计手段。即死区概念。

死区的概念及设计方法

4，为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间

逆变电路中，半桥和全桥都有上下两个桥臂，由于器件延时的原因，如不控制死区时间，总是有可能出现相知桥臂同时导通的现象（短路），所以一定要设置死区时间。一般看你选用的开头管的响应时间（请注意：开，关时间不一定一样，取其长的），取其3—4倍作为死区时间应该是保险的。

5，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好

不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

6，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好

7，请教IGBT 死区问题

①②是错误的③是正确的假如是半桥电路上下桥臂开通和关断一定要有死去时间T如果没有，就直通了，烧毁IGBT

IGBT一般采用半桥/全桥应用，通过上下桥臂规律性的开关，对电流进行逆变。为了防止IGBT短路，在上下臂交替开关间会设置一个延时（死区时间），一般都是微妙级别。

igbt死区是指从输出关断信号到igbt真正截止的时间。由于igbt等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响，比如尽量提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等。为了使igbt工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，有必要设置死区时间，也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，避免直通炸模块。死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的，只取决于功率元件制作工艺。

8，如何正确计算并最大限度减小的死区时间

如何计算IGBT模块所需最小死区时间？1 引言在现代工业中，IGBT器件在电压源逆变器中的使用越来越广泛。为了确保可靠地使用IGBT，必须避免出现桥臂直通现象。桥臂直通会产生额外的不必要功耗甚至热失控，可能会导致IGBT甚至整个逆变器出现故障。IGBT桥臂直通的原因典型的IGBT一个桥臂拓扑电路如下图所示，正常工作时，两个IGBT交替开通和关断，如果将两个IGBT管同一时间导通将会导致电流的上升，该电流仅受限于IGBT DC-link的杂散电感。Figure 1 Typical configuration of a voltage source inverter当然，没有人会故意将两个IGBT同时开通，但由于IGBT并不是一个理想的开关，开通和关断时间并不是严格相同。为了避免桥臂直通，总是推荐添加一个所谓的“互锁延迟时间”或称为“死区时间”到控制机制。这样，一个IGBT总会先关断，另一个在经过期望的死区时间后被开通。因此，可以避免由于不对称的开通和关断时间造成的桥臂直通现象。死区时间对逆变器工作的影响死区时间一般有两种，一是控制死区时间，二是有效死区时间。控制死区时间是在控制算法里执行的死区时间，是为了获得器件端合适的有效死区时间，设置控制死区时间的目标是为了确保有效死区时间总是正值。由于实际计算的控制死区时间总是基于最坏的情况，有效死区时间是控制死区时间的重要部分。死区时间一方面可以避免桥臂直通，另一方面也会带来不利影响。为了阐明死区时间的影响，我们考虑电压源逆变器的一个桥臂，如图2所示。假设首先输出电流的方向如图所示，IGBT管T1从开到关，IGBT管T2经过微弱的死区时间后从关到开。在有效死区时间内，两个管子都在断态，续流二极管D2传导输出电流。因而负边DC link电压施加到输出端，这种转换是被期望的。另一种情况，IGBT管T1从关到开，T2管从开到关，然后，D2仍然在死区时间内传输相同方向的电流。因此输出电压也是负边DC link电压，这种情况是不期望的。结论可概括如下：在有效死区时间内，输出电压由输出电流的方向决定，而不是控制信号。如果我们考虑图2中相反的电流方向，当T1从开到关，T2从关到开时，将会获得一个电压。所以，应用死区时间通常会使电压和电流产生扭曲。如果我们选择了一个不合适的较大的死区时间，会使感应电机系统变得不稳定，可能会造成一些破坏的情况。因此选择死区时间的过程是非常重要的，应仔细计算。Figure 2 One leg of voltage source inverter本文将解释如何测量IGBT实践中的延迟时间，和如何在测量的基础上正确地计算控制死区时间。

搜一下：如何正确计算并最大限度减小的死区时间

9，变频器拖动的电机在启动时有抖动现象是什么原因

一，电机是否好的，会不会出现缺相情况；二，负载是不是稍微大了，因为本身在启动时电流就比较大，如果负载重的话电流就会更大，需要更大的启动转矩而实际变频器没有这么大，有点小马拉大车的感觉，就是比较吃力。

抖动分现象 1、低速抖动 1）变频器的控制方式为矢量控制，可能原因为变频器对电机的参数识别不良，可以重新识别电机参数；另一种可能为变频器的asr（速度调节器）没有调整好，可以按要求调整好即可解决问题； 2）变频器为v/f控制方式，可能原因为变频器输出转矩太低，随负载的变化电机出现时快时慢现象（可以用转矩提升来试作解决，但是过高的转矩提升会使长时间工作在低速运行的普通异步电机因无自风冷而温度升高）；另一种可能为变频器的载波频率太低电机产生了脉动现象，可以提高变频器的载波频率来改善这种情况； 2、中高速抖动 1）变频器的控制方式为矢量控制，可能为变频器的asr（速度调节器）没有调整好，可以设备的运行情况分别对高速asr和低速asr进行调整，并且要设好合适的低高速asr参数过渡点，空载调好之好最好再带负载进行测试，如发现问题应马上进行调整，使变频器工作在空载和满载都能良好运行； 2）变频器用v/f控制方式，可能原因为变频器输出缺相或电机电缆有问题；另一种可能为变频器内部硬件电路有损坏的情况，导致变频器的死区补偿出现问题；都不能解决可能联系李春林希望能帮到你

一，电机是否好的，会不会出现缺相情况；二，负载是不是稍微大了，因为本身在启动时电流就比较大，如果负载重的话电流就会更大，需要更大的启动转矩而实际变频器没有这么大，有点小马拉大车的感觉，就是比较吃力。抖动分现象1、低速抖动1）变频器的控制方式为矢量控制，可能原因为变频器对电机的参数识别不良，可以重新识别电机参数；另一种可能为变频器的ASR（速度调节器）没有调整好，可以按要求调整好即可解决问题；2）变频器为V/F控制方式，可能原因为变频器输出转矩太低，随负载的变化电机出现时快时慢现象（可以用转矩提升来试作解决，但是过高的转矩提升会使长时间工作在低速运行的普通异步电机因无自风冷而温度升高）；另一种可能为变频器的载波频率太低电机产生了脉动现象，可以提高变频器的载波频率来改善这种情况；2、中高速抖动1）变频器的控制方式为矢量控制，可能为变频器的ASR（速度调节器）没有调整好，可以设备的运行情况分别对高速ASR和低速ASR进行调整，并且要设好合适的低高速ASR参数过渡点，空载调好之好最好再带负载进行测试，如发现问题应马上进行调整，使变频器工作在空载和满载都能良好运行；2）变频器用V/F控制方式，可能原因为变频器输出缺相或电机电缆有问题；另一种可能为变频器内部硬件电路有损坏的情况，导致变频器的死区补偿出现问题。

10，STC单片机 PWM

STC目前的单片机的pwm都是边沿对齐的，无法实现死区功能，做互补pwm没有太大意义。如果非要互补，还真就用反相器好处理，至少软件不用去重复置2次值。除了STC的单片机，能做互补PWM 输出的单片机还有很多，英飞凌的XC8xx系列（51内核），PIC的，新唐的mini51系列的有很多，不必一棵树上吊死。

PCA没用过不过单就PWM的话,用定时器模拟就行了,很方便,可控性也好些.

看看这个，单片机用的是aduc848，ad转换输出正弦波，和pwm原理类似。实验八 d/a转换实验一、实验目的1．了解芯片内部d/a转换模块设置方法。2．了解d/a转换原理。3. 了解keil软件中逻辑分析仪的使用方法。4. 了解用单片机产生正弦信号的基本方法。二、实验原理aduc848中包含一个12位电压输出dac模块，dac模块中寄存器的设置如下：dac控制寄存器：dacconnc表示未定义；dacpin为dac输出引脚选择；1 = 设置dac输出引脚为pin 13 （aincom）; 0 = 设置dac输出引脚为pin 14 （dac）;dac8为dac转换位数模式选择位；1 = 设置dac为8位转换；0 = 设置dac为12位转换；dacrn为dac输出范围选择位；1 = 设置dac的输出范围为 0 v - avdd；0 = 设置dac的输出范围为 0 v - 2.5 v (vref)；dacclr为dac清除位；1 = 设置dac为正常操作模式；0 = 复位dac数据寄存器dacl/h to 0；dacen为dac使能位1 = 使能dac转换；0 = 不使能dac转换；dac数据寄存器：dach/ldach为12位转换的高位数据寄存器四、程序流程图和源程序1、主程序流程图 2、源程序清单 daccon equ 0xfd ;定义模数转换控制器 dach equ 0xfc ;定义模数转换数据寄存器高8位 dacl equ 0xfb ;定义模数转换数据寄存器低8位 org 0000h ljmp main org 0200h main:mov daccon , #0fh; dac operation clr a ; mov dach , a ;模数转换高八位清零prg3:movr0,#09h;正弦波movr4,#40hlp11:mov a,r0 movca,@a+pcmov dacl,a ;2 acall delay ;2incr0;1djnzr4,lp11 ;2 sjmp prg3 ;2data0: db 80h,8ch,98h,0a5h,0b0h,0bch,0c7h,0d1h,0dah,0e2h,0eahdb 0f0h,0f6h,0fah,0fdh,0ffh,0ffh,0fdh,0fah,0f6h,0f0hdb 0eah,0e2h,0dah, 0d1h,0c7h,0bch,0b0h,0a5h,98h,8chdb 80h, 7fh,73h,67h,5ah,4fh,43h,38h,2eh, 25h,1dh,15hdb 0fh,09h,05h,02h,00h, 00h,02h,05h,09h,0fh,15hdb 1dh,25h,2eh,38h,43h,4fh,5ah,67h,73h,7fhretdelay: mov r6,#10h mov r7,#0a1hdelayloop: ;延时程序 djnz r6,delayloop djnz r7,delayloop ret end四、实验板插针配置：无需插针配置，注意dac是从condacout1端子输出，可用示波器观察dac输出波形。若产生失真情况，请检查开发板da输出端lm358运算放大器的放大倍数，适当更改所查函数表的范围。五、思考题1、改变程序，使能添加输出锯齿波；2、改变程序，使输出添加三角波；3、改变程序，使输出添加方波；4、改变程序，并制作一个简单的函数发生器

文章TAG：半桥驱动死区时间为多少合适半桥驱动死区时间