1,家电问题DDR2内存有多少种规格

常见的是512MB、1GB、2GB频率从400MHZ起步,533MHZ、667MHZ、800MHZ、1066MHZ、1200MHZ+

家电问题DDR2内存有多少种规格

2,DDR DDR2 DDR3三种内存发行时间

DDR发行1996年:DR全称是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM,双倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出。由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本,因此也称为「SDRAM II」。DDR2发行2006年:DDR2在增加内存带宽的同时也增加了内存延迟时间,也就是说每次操作要耗费的时钟周期将会增加。DDR2内存需要4个时钟周期或者5个时钟周期,tRAS也可能会增加到最少8个时钟周期,而高速DDR内存的tRAS可以达到5个时钟周期。因此在800MHz前端总线下,DDR2并没有为系统性能带来多大的提升,只有CPU的前端总线再次提升后,DDR2才能真正发挥出其高带宽上的优势。DDR3发行2009年:在2009年冬季即将结束,三星正式推出目前世界上单颗密度最大的DDR3芯片,基于50纳米制造工艺,推单颗容量到了4Gb,这个终于可以更快的跨入64位的时代,因为单根PC内存条的容量已达到了惊人的32GB。 新的芯片比先前的DDR3芯片功耗降低了40%。扩展资料:DDR和DDR2、DDR3的区别:DDR:DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400。DDR2:DDR2尽管工作频率没有变化,数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit,那么同时间传递数据是DDR的两倍,因此也用等效频率命名,分别为DDR2 400 533 667 800。DDR3:DDR3内存也没有增加工作频率,继续提升数据传输位宽变为8bit,为DDR2两倍,因此也在同样工作频率下达到更高带宽,因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。所以可以看到,如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别,只是由于传输数据位宽倍增,导致带宽的增加。而内存的真正工作频率决定于延迟,DDR400与DDR2 800真实工作频率相同,后者带宽是前者一倍,延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667,那后者虽然带宽更大,不过其真实频率反而低一些,延迟上略大。

DDR DDR2 DDR3三种内存发行时间

3,DDR2是什么型号与DDR333SO DIMM比哪个好DDR2是不是已经淘汰了百

DDR2才刚开始流行哦 DDR333是DDR1中的一种频率 这个才是要被淘汰了 DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR2内存的频率 此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。DDR2与DDR的区别: 在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。1、延迟问题: 从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。2、封装和发热量: DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。DDR2采用的新技术: 除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。 ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。 Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。详解http://publish.it168.com/cword/2928.shtml

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