晶体管等效电路,微变等效电路法适用于

通过导纳分析，利用Y参数等效电路使晶体管具有内部反馈。通过混合π型等效电路进一步分析了晶体管内部的物理过程，绘制DC等效电路图，分析电路的DC系统参数，找出晶体管的静态工作点和偏置特性，以及级间耦合方式，直流等效电路分析方法，MOS小信号等效电路是一种分析和设计MOS场效应晶体管的方法。

利用低频微变等效电路可以计算晶体管放大电路的低频电压放大倍数、电流放大倍数、输入电阻和输出电阻。放大电路的动态分析微等效电路法:在小信号条件下，用线性模型代替非线性晶体管，用线性电路分析法计算基本放大电路。除上述参数外，还可以利用高频微变等效电路计算晶体管放大电路的高频截止频率。

PNP和NPN晶体管的交流小信号等效电路模型完全相同。它将MOSFET简化为一个等效电路，包括输入电容、输出电阻和放大系数。PNP和NPN晶体管的区别在于它们的PN结以不同的方式合成，它们的DC电源正好相反，但它们的交流等效电路完全相同。c .当放大电路的输入信号电压很小时，按以下步骤画出MOS小信号的等效电路:画出MOSFET的符号。

小范围内晶体管特性曲线可以近似用直线代替。因为我使用的电路是为了调节来自光电倍增管的信号，所以我们用示波器对波形进行采样，并将其保存为txt文本格式。分析电路中相关元件的状态和功能。高频小信号放大器通过无线电接收的信号包含有用信号、信号干扰和噪声，输入电路的作用是滤除有用信号。

在Rbe之前，我已经用Cadence的capture模拟了几天模拟电路。例如晶体管的工作状态，如饱和、放大和截止区，Rbe也应该知道。（us = IB * rbe（β，IB * rfu，βIB *（rl//RC）au = u，us =β（rl//RC）/（rbe（β，* RF））特别是:当β》》。