集射级反向击穿电压,集电极结反向击穿

它包括集电极-发射极反向击穿电压、集电极-基极反向击穿电压和发射极-基极反向击穿电压。由于集电极结施加的反向电压，集电极区域中收集的电子非常大，并且该反向电压产生的电场力将阻止集电极区域中的电子扩散到基极区域，这是共发射极配置的击穿电压，即基极开路时集电极和发射极之间的击穿电压，峰值电流:由于特殊情况二极管能承受的瞬时最大正向冲击电流；反向击穿电压:二极管在反向所能承受的最大电压；正向压降:二极管通过额定电流时的正向电压；正向电流:二极管正向流动的电流。

最大反向电压最大反向电压是指晶体管工作时允许施加的最高工作电压。当集电极结反向电流Icbo流过发射极结时。Vebo:通常三极管用于放大，发射极结正偏置，但有时三极管会工作在开关状态，发射极结反偏置。因此，需要考虑发射极结的反向击穿电压。一般来说，低功率电子管的Vebo可以在几v左右。

Vcbo:在放大下，集电极结反转。你三极管的集电极和发射极画反了，应该如下图所示；该闪光电路闪光的原因是因为当基极开路时，集电极结反向偏置，发射极结正向偏置，即BJT处于放大状态，还有少量电子（因为基区非常薄）与基区中的空穴复合，扩散电子流与复合电子流的比率决定了晶体管的放大能力。