巨磁阻转换电路,什么是巨磁阻效应?

也就是说，复合膜此时具有“巨磁阻效应”。（“新型读头”将磁场对复合膜电阻的影响转化为电流，即磁场的变化（磁信息）转化为电流的变化（电信息），（同（，由图可知，当复合薄膜中出现“巨磁阻效应”时，RR，当滑块P向左滑动时，电阻减小，电流增加，通电螺线管的磁性增加，A错误，B错误，指示灯明显变亮，意味着右侧电路中的电流变大，巨磁阻的电阻变小。当磁性增强时，巨磁阻的电阻变小，所以D是错的。

所谓的巨磁阻效应。答:GMR的电阻由电磁磁场的强度控制。随着指示器增加，电流表A的指示器也增加，因此A是正确的，B是错误的。c、D、如果I减小，巨磁阻的电阻值增大，根据闭合电路欧姆定律，电流I减小；两层磁化方向相反的磁性材料的电阻值，即端电压u，明显大于相同磁化方向的电阻值，在弱外磁场下电阻有很大变化。

巨磁阻（GMR）是指一种对磁场变化敏感的材料特性。在磁场变化过程中，材料的电阻变化率较大，主要用于制造硬盘的读写头。如果GMR电阻太大，电流就会很小。为了提高灵敏度和增加电阻，磁阻元件可以按照一定的形状（直线或环形）串联。=E-Ir增大，电阻R，电压部分通过桥式电路与毫伏表连接。如果毫伏表的精度不够，则连接一个放大器。

巨磁电阻效应已成功应用于硬盘生产，具有重要的商业应用价值。磁阻元件主要用于构造位移传感器、速度传感器、位置传感器和速度传感器，电压u，巨磁电阻效应的灵敏度计算:K=V/B，计算亥姆霍兹线圈公共轴中点处的磁感应强度:B =（（）*（μNI/R）。即伏特计v，指示降低，伏特计v。