当电容关断时，需要对其进行放电或泵浦，使电容电压降至导通电压以下。由于高速开关会产生高峰值电压，因此快速开关有助于提高工作频率，IGBT是一种场控器件，其导通和关断由栅极和发射极之间的电压uGE决定，当uGE为正并且大于导通电压UGE（th）时，IGBT可以导通，当在栅极和发射极之间施加反向电压或没有信号时，IGBT关闭。
在IGBT的G和E之间有一个输入电容，当它导通时需要充电，当它达到导通电压时需要导通。IGBT的导通电压是指栅极（gate）和源极（IGBT不称为发射极）之间的电压Vgs，通常为，表示IGBT的最大关断电压（V），如上所述。Vgs是为了减少开关损耗。（IGBT打开后。上限值由器件自身能力决定，IGBT可以通过的驱动电压开启。
由于某些原因，可能存在干扰，导致栅极驱动电压的毛刺峰，进而导致IGBT的误导；一般IGBT关闭时使用的负压可能不够，因此建议使用-。IGBT的驱动实际上是栅极电容的充放电过程。IGBT（绝缘栅双极转换器），绝缘栅双极晶体管。（应综合考虑IGBT的切换时间。
不可以，过高的驱动电压可能会导致发射极击穿并损坏IGBT。一般情况下，额定工作电流为0，但在大电感负载下，IGBT的导通频率不宜过大，IGBT的规格要求正反，型号的第一组数字表示IGBT的额定工作电流（A），如上述型号，或以此类推，例如H，但在设计时最好控制G极到E极。
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