默认高电位(单片机通电时默认高电位),转到低电位时:开(高电位关)。到地形成基极电流,Q饱和,电压通过继电器和Q的C极到E,再到地形成电流,开关管做成H桥电路时电极电阻如何选择?不提供单片机的工作电压,启动光耦(光耦的限流电阻),、最大电流、上拉电阻、限流电阻、r。
高电位,单片机,一个NPN型低功率晶体管(最大耐压,W)的显示文字平面朝向自身,从左到右依次是E发射极、B基极、C集电极。三极管是由半导体衬底上两个非常接近的PN结组成的。两个PN结将整个半导体分为三部分,中间部分是基极区,两侧是发射极区和集电极区。通过r和q的b极到e,因为β =,uce等于,
Ube,too,ice》=,IBE由单片机输出,认为是,因此单片机输出可以作为计算点。Irf,p沟道场效应晶体管:n沟道场效应晶体管:NPN低功耗晶体管Vcbo=,Icm=,APcm=,你可以用,line代替。,功率方面,是低功率NPN晶体管,可以替代,三极管有两种排列方式:PNP和NPN。
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