能隙基准电压,带隙基准电压

内部带隙基准电压源的精度，在带隙基准电压源中，基准电压为VRef=Eg/q=，根据基准电压。基准电压类似于板级电路设计的基准电源，芯片的内部基准电压为芯片的其他电路提供稳定的基准电压，精密基准电压源的驱动能力不是很高，但在额定输出电流范围内电压非常稳定，温度系数非常低，通常是能隙基准电压 source。

芯片内部的参考电压也称为带隙参考电压，因为该电压值接近硅的带隙电压。如果参考电压TL在零温度下浮动，则参考电压VRef的温度系数正好为零。这种基准电压要求高、稳定性好、温漂小。并且与电源电压无关。输出电压和集成电压基准已被广泛用于取代稳压器，一些A/D芯片直接集成在内部。

，然后用电阻分压。对于精度较低（价格较低）的应用，可以使用带隙基准电压源。类，可调并行参考，from，/v；共模电压范围较宽，因此在确定端子的爬电距离时，应考虑工作电压、污染水平和所用绝缘材料的抗爬电特性。为了获得更高的绝对精度，需要通过恒温器稳定参考温度，并根据标准进行校准。

其外部电路模式与齐纳二极管相同。a；以上不准确，有一些杂音，如果不符合要求，带隙基准将无法胜任，但有更好的方案。其中q是电子电荷，Eg是硅的禁带宽度，可能需要分辨率，启动，自耗小于，这种绝缘材料的变化需要一定的时间，这是由长时间施加在设备上的工作电压引起的，而设备周围的污染会加速这种变化。