mos管qg会随着ds电压变化,如何降低Mos晶体管ds的压降?

原理:当输入总线通电时，mos管的栅极和源极之间的电容开始充电，使mos管的栅极和源极之间的电压缓慢上升。mos管是压控电流源，通过电压的缓慢变化来抑制启动时的浪涌电流，从而达到抑制浪涌电流的目的，Qg = cgs * vgs，Vgs最初会随着栅极电荷的增加而增加，但当Vgs增加到米勒平台电压Vp时，即使栅极电荷继续增加，Vgs也会保持不变，因为增加的栅极电荷用于为Cgd电容充电。

电感器中电流的突然变化将在电感器两端产生高电势以抵抗电流的变化（电流的突然变化意味着磁路中磁场的快速变化，因此在线路中间将产生感应电势），变压器也是如此。因此，MOS管具有相应的Qgs、Qgd和Qg充电参数。如图所示，MOSFET的DS电压下降到与Vgs相同的电压，并且毫勒电容大大增加。外部驱动电压对密勒电容器充电，而GS电容器的电压保持不变，而密勒电容器上的电压增加，而DS电容器上的电压继续降低。

就像反比例放大一样，在这种情况下，UG会随着Uo的变化而变化。只要Uo稍大，UG就一定是负值。当在栅极上施加不同的电压时，源极和漏极之间的电阻会发生变化，这就是MOS晶体管的工作原理。c是在电压波动的瞬间以电荷泵的形式给G一个负压。如果Ui稳定，那么Ug不会移动。因此，极性电容积累电荷并存储它们以形成电压。

G -代表grid（英文Grid的第一个字母）Q -代表charge（英文quantityofelectriccharge的第一个字母，这也是物理学中的常用词）。MOS管的栅极特性相当于一个电容，电容用电荷Q和库仑表示，它是一个电压控制元件，由栅极电压和S-D电极之间的体电阻控制。