选择电阻和电容时。电容一般不会产生噪声,但电感会产生噪声,电源插座后面有一个LC电路,试着改变它的电感,它会降低MOSFET的电压应力,例如下图所示的MOSFET的峰值电压,它还会影响EMC。反激电路中应加入RCD吸收电路;较大的分布电容会增加电路的寄生振荡,增加MOSFET和次级整流二极管的电压尖峰,使EMC效应恶化。
在RCD吸收电路中,晶闸管的大电流关断会产生各种干扰/尖峰,从而影响负载和电源(EMI问题)。箝位电压通常选择为反射电压,这称为RCD吸收。它一般由二极管、高压陶瓷电容和电阻组成,主要用于吸收开关管关断时变压器初级线圈产生的冲击电压。添加RC或RCD吸收电路,如有必要,添加有源吸收或有源箝位电路。
它应该过滤掉干扰和电压尖峰,吱吱声可能是它在某一波点与之前的LC滤波器电路发生谐振。改变RCD的电阻或电容会影响EMI和EMC,这是调试EMI和EMC的关键组件。更换后电源的稳定性会受到影响,所以最好使用原值。这是一个吸收装置,用来吸收峰值电压。如果峰值电压很高,它可以被吸收。如果不高,则没有必要(相对于MOS的耐压高低)。可以下载吸收电路,一般有C和RC。
但是这张图是错的。首先,整体位置不对,RCD应置于晶闸管高压两端。那么二极管不在正确的位置,二极管应与RC串联。可以加,但不要太大;通常,LLEAK * IPEAK,(vs nub/(vs nub-n * VOUT))是能量单位J焦耳,计算的功率P应乘以工作频率F(Hz)。
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