亚微米集成电路,沈亚微米集成电路

研究方向:深亚微米集成电路低功耗设计技术。超深亚微米集成电路设计方法学和CAD算法工具的研究与实现由于超深亚微米和超大规模微电子技术的快速发展，集成电路的设计必须在很大程度上依赖于计算机辅助设计工具，引言（一）目的和意义世界半导体工业进入大尺寸晶圆时代后，要求IC元件具有最佳的表面平整度，以满足微米和亚微米集成电路的制造工艺。

电子技术发展迅速。在工艺技术方面，微细加工技术，如电子束、离子束、X射线等复制技术和干法刻蚀技术日趋完善，使集成电路的集成度从亚微米级提高到更高的光刻水平。双阱工艺有利于提高CMOS集成电路的性能和可靠性。做超深亚微米研究还是有一定的研究空间的，不过以后最好出国。

浅沟槽隔离占用面积小，有利于提高集成度。部门:硅器件与集成技术研究室（一室），反向掺杂有利于降低表面电场，提高反型载流子的迁移率。这通常是在科研单位工作，器件设计倾向于研究材料和半导体技术，目前国内研究理论成熟，但设备不成熟（主要靠进口日本和德国的口罩对准器等。)。