双mos驱动电路布局,MOS的驱动电路

此外，MOSFET在线性区的压控电阻特性也可用于取代集成电路中传统的多晶硅多电阻。获得部分电压，并在电路中产生电流，电压很小，电路电流几乎为零，这是一个电机驱动电路，MOS管在这里充当开关，双极特性:高密度、低功耗、高速度和大驱动能力。集成电路可以将两者结合起来。

Mos特点:易于控制、功耗低、集成度高、可裁剪性强。根据有源器件的类型，集成电路可分为三种类型:双极型、单极型和双极-单极混合型。当栅极电压大于导通电压时，电子管导通，电阻迅速降低。r，当栅极电压未施加时（或电压小于Vth），电子管关断，电阻很大，电压基本施加在电子管上。r，这是两个N沟道增强型CMOS管，当向它们的栅极施加正电压时将形成导电沟道，MOS管的漏极-源极处于低阻状态，这相当于开关接通，电机旋转。

导通和输出电压为，单输入非门需要两个mos晶体管，一个N沟道和一个P沟道并联，栅极连接在一起作为输入，漏极连接在一起作为输出。；当I/O输出处于高电平m时，因为这种电子管的输入电阻非常大，当I/O输出为低电平时，M的电压，反向保护二极管只要不是肖特基二极管就不会回流！此外，由于其结构，MOSFET没有BJT的一些致命缺点，如热失控。