低驱动电压场效应管,场效应晶体管的驱动电压

一般FET的驱动电压为:FET SI，FET的种类很多，不同种类工作电压电源的极性也不同。以vmosfet为例，MOS晶体管的驱动电压与三极管的驱动电压相差很大，MOS晶体管是电压驱动元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就不会完全导通，哪位专家向我推荐了低驱动电压（最好是MOS晶体管，也称为场效应晶体管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向关断，无法控制。一般来说，三极管是一个小电流放大成一个可控的大电流，而MOS晶体管是一个小电压控制电流。

大多数载流子用于导电，因此其温度稳定性良好；放大器电路的电压放大系数小于晶体管放大器电路的电压放大系数。场效应管抗辐射能力强；因为它没有由混沌电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声很低。场效应晶体管分为结型和绝缘栅型。MOS晶体管的输入电阻极大，为兆欧姆级，易于驱动。，最高电压为，

据介绍，MOS晶体管的导通电阻比三极管低，驱动大功率负载时发热量会小很多。）n沟道场效应晶体管，功率不大，就够了，最好贴片小封装，谢谢！它属于压控半导体器件，正因为如此，电路不会因两个晶体管同时导通而短路，交流参数交流参数可分为输出电阻和低频跨导。