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1，室温下本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是

对于本征半导体而言，电子和空穴是成对产生的，所以电子浓度和空穴浓度是相等的。
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室温下本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是

2，0k时候硅的本征载流子浓度

1.5。室温下，0k时候硅的本征载流子浓度为i=1.5×1016m-3，因此硅的本征载流子浓度是1.5。本征载流子浓度为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高。

0k时候硅的本征载流子浓度

3，硅晶胞中替换一个原子求参杂浓度

贵今包装替换一个杨紫琼参杂浓度，为应包中替换一个园只求，可以参照。
求室温下,平衡态少数载流子空穴的浓度10个/cm-时，半导体硅的惨杂浓度 多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共 同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

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4，500k温度下硅的本征载流子浓度是多少

500k温度下,硅的本征载流子浓度是2.716*10^14/cm^3。本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。扩展资料：公式推算本征半导体的费米能级称为本征费米能级，或为导带电子的热平衡浓度：为价带空穴的热平衡浓度：若将上二式相乘，则有：或其中为禁带宽度，k为玻尔兹曼常数。对于给定的半导体，当温度恒定时，为定值，与费米能级无关。参考资料来源：百度百科-本征载流子浓度

5，计算已知Si中本征载流子ni 15 x 1010 cm3Si原子密度为5 x 1022

Si原子密度为5 x 1022/cm3，每百万个Si原子掺入1个磷原子，则掺杂浓度为5 x 1016/cm3，则多数载流子与掺杂磷原子数相当，所以多数载流子为5 x 1016/cm3。少数载流子浓度为4.5x103 /cm3。
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6，硅的本征载流子浓度是15还是102

浓度是1.5。室温下，硅的本征载流子浓度为i=1.5×1016m-3。本征载流子浓度（Intrinsic carrier concentration）为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K时的浓度值。本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。相关介绍：硅在自然界分布很广，在地壳中的原子百分含量为16.7%。是组成岩石矿物的一个基本元素，以石英砂和硅酸盐出现。硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。如果说碳是组成一切有机生命的基础，那么硅对于地壳来说，占有同样的位置，因为地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构成的。这些岩石几乎全部是由硅石和各种硅酸盐组成。长石、云母、黏土、橄榄石、角闪石等等都是硅酸盐类；水晶、玛瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。

7，求出本证硅及本证砷化镓在300K时的电阻率怎么求

1-分别在手册上查出本征硅和本征砷化镓，在300K时的“电子浓度”、“空穴浓度”、“电子迁移率”、“空穴迁移率”；2-再用公式：电阻率 = 1/（电荷电量x（电子浓度x电子迁移率 + 空穴浓度x空穴迁移率）），计算各自的电阻率，即可。（供参考）
一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。化学式gaas，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件——体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

8，半导体本征浓度怎么计算

一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算： ni（T）＝AT3/2e－EG/2kT式中， EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量，单位是eV（电子伏），又被称为禁带宽度； T——温度； A——系数； k——波耳兹曼常数（1．38×10－23J/K）； e——自然对数的底。 由于在本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的，所以这个计算公式也可以用来表示空穴的浓度。
半导体就是电流正向导通,反向截止,加入主要是控制导通方向那些,也只有介与金属与非金属之间的材料才可以做为载体,当然,在工业中,也并不全是需要导通,也有好多地方会用到它的齐纳与雪崩现象的地方 我认为本征半导体与导体非常复杂,我都这么辛苦作答了，给个最佳答案把，谢谢啦！ 煤矸石粉碎机
一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算： ni（T）＝AT3/2e－EG/2kT式中， EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量，单位是eV（电子伏），又被称为禁带宽度； T——温度； A——系数； k——波耳兹曼常数（1．38×10－23J/K）； e——自然对数的底。

9，主族元素ABCD的原子序数都小于18A与D同主族B与C在同

推断元素很简单 (1)A-H ， B-O ， C-C， D-Na 2.写出B与C在高温下完全反应后生成物的化学式__CO2__，电子式_不好写（根据结构式来写，每个O都是８个电子，４对。Ｃ周围是４对）___，结构式__O =C=O __。 3.用电子式表示B、D在高温下形成的化合物的电子式__Ｎａ２Ｏ２　电子式不好写___，判断其中的化学键的类型_离子键，共价键，　　Ｎａ＋［：Ｏ：Ｏ：］２－　Ｎａ＋　　（Ｏ　周围４对电子） 4.写出一种有A、B、C、D组成的化合物的化学式　　NａＨＣＯ３　　（ＣＨ３ＣＯＯＮａ）
1.写出元素符号 A__H___,B__O__,C_C___,D___Na__。 2.写出B与C在高温下完全反应后生成物的化学式__CO2__，电子式_.. .. :O::C::O:___， 结构式_O =C=O___。 3.用电子式表示B、D在高温下形成的化合物的电子式__ http://attach.etiantian.com/ett20/study/question/upload/2008/8/13/1221277507168.doc __，判断其中的化学键的类型_离子键和共价键_____。 4.写出一种有A、B、C、D组成的化合物的化学式__NaHCO3___。
A氢B碳C氧D钠
A. H, B.O C.C D .Na ;Co2.电子式略，结构式 O=C=O. Na2O2. 既有极性也有非极性共价键。 NaHCo3,
A:H.B:C.C:O.D:Na

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