mos管发热多少度，微星p67c43a 主板 mos管 玩起游戏有100多度 想帮它散热要怎么搞
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2024-04-25 19:14:32
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1，微星p67c43a 主板 mos管 玩起游戏有100多度 想帮它散热要怎么搞
简单点的话买几个显存散热片粘上，然后在机箱后面加个风扇，能起到一定作用。
2，显卡供电的MOS管好热能开机这个正常吗
管子太烫了，看下MOS的GATE电压有没有起来。或者是不是MOSGATE上的电阻烧掉了。只要温度低于100度来说还是可以接受（工厂高温测试要求就100度）
3，华硕p4p800主板AGP旁边两个9T15GHmos管90度高温正常吗
正常的，你不用担心。你试下机子跑48小时如果没蓝屏什么的。就不用加mos管散热片了。
4，电脑通电没开机主板上40t03GH这个MOS管就会发热烫手是这个东
是主板的MOS管吗？72T02GH或者60T03就可以代用，只要不是U供电的其它地方无所谓
5，外置mos管升压电路IC发烫
LM3429 VCC电流极限是25MA 为什么不测量下 1脚电流了 !还有看看10脚的波形
6，MOS管的功耗计算方法Mos管发热严重解决方法MOS管选型
手册中给出的通态电阻，是完全导通后的最小值。
如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。
额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。
7，理想情况下mos电路会发热么
MOS管导通是有内阻的，每个型号的MOS管都有额定耗散功率，耗散功率就是器件本身的功率消耗，一般情况下做信号调理的MOS管的耗散功率比较小发热量不大，但作为功率器件的MOS管尤其驱动大负载的功率MOS是一定会发热的，所以都会加散热片。两个电路图原理相同，如果参数正常，工作效果相同。但是电源容量不够，按照图1共用电源，就可能造成电源电压下跌，mos管栅极激励电压受累下降，不再饱和导通，内阻增加，管耗加大，以至于烧管。而图2漏极电源电压下降，不会影响栅极激励电压，于是mos管依然完全导通，相反漏极电源的下降使得实际电流减小，功耗更小。结论：图1电源失常时功耗加大，图2电源失常时功耗减小。
8，mos管的发热分析
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图：图1。图1 MOS管的工作原理我们在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，如图2漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。图2 NMOS管的开路漏极电路在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。其发热情况有：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。mos管发热的原因： 1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致mos管发热的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比电源高几v，才能完全导通，p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以u*i也增大，损耗就意味着发热。 2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，mos管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3.电流太高，没有做好足够的散热设计，mos管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。所以id小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。 4.mos管的选型有误，对功率判断有误，mos管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
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