晶体管击穿电压的比较,测试晶体管穿透电流的原理

当UCE增加到USB时，即达到A点时，集电极电压达到所谓的击穿电压，集电极结发生雪崩击穿，这是一种击穿。晶体管的电流放大功能具有电流放大功能，其实质是晶体管可以用基极电流的较小变化来控制集电极电流的较大变化，最大反向电压最大反向电压是指晶体管工作时允许施加的最高工作电压。

当然，击穿电压很大。电压击穿意味着所有电子器件都具有最高的耐受电压，超过这个允许值，器件就有失效的风险。由于第一次击穿效应，晶体管的电流迅速上升到A点并到达ISB。它包括集电极-发射极反向击穿电压、集电极-基极反向击穿电压和发射极-基极反向击穿电压。发射极电压或电流随着基极的大小而变化。当三极管关断时，电压将不会降低，

稳压管采用晶体管的三种工作状态。补充:所有硅材料管（PNP和NPN）的BE结应具有反向击穿电压，否则将导致管击穿。C极应该是电源电压。饱和时，C极电压非常低，CE结电压一般为0。分别测量了BC和BE的反向电阻，并击穿了BE结。晶体管元件都有耐压值，超过耐压值会损坏元件。现在用零偏压曲线来说明二次击穿现象的发生过程。

其三个集电极的最大允许耗散功率PM是集电极电流在集电极产生热量，从而提高结温。如果该功耗超过，晶体管可能会损坏，这是三极管最基本也是最重要的特性。晶体管有两个pn结:发射极结和集电极结；因此，可以使用NPN管的BE结，有源元件和无源元件的失效形式略有不同，但都有允许电压的上限，该特征可用于识别管道的C和E管段。