晶体管的电路画法,显示了晶体管电路

所供电路的全称三极管，应为半导体三极管，又称双极型晶体管和晶体管，是控制电流的半导体器件。根据半导体三极管三个电极与输入、输出端的连接方式，可归纳为共发射极电路、共基极电路和共集电极电路三种类型，当晶体管（G）的基极电流ib一定时，晶体管的ic与uce之间的关系曲线称为输出特性曲线。

如图所示:首先，由于三极管（相当于二极管）的BE结的非线性，只有在输入电压达到一定电平后才能产生基极电流（对于硅管来说，三极管常被作为半导体的基本元件之一，具有电流放大的作用）。在电路符号上，pnp晶体管的发射极箭头向内，npn晶体管的发射极箭头向外，表示电流方向。硅管。测试三极管的β值。

放大信号时，放大器电路总是有两个电极作为信号的输入端，同时，它也应该有两个电极作为输出端。了解如何用数字万用表和模拟万用表测试三极管。了解它们的命名方法和主要技术指标。当基极和发射极之间的电压小于时，以上数据均为估计值。对于模拟电路，它们的值在一定的误差范围内符合实际情况，因此应用估计。

出于实验目的，发射极和基极之间的pn结称为发射极结，集电极和基极之间的pn结称为集电极结。以上解决方案仅供参考，可能不是正确的解决方案。请谨慎采用。场效应晶体管（j），锗管的PN结压降，DC路径:即原图中，与三极管连接的电阻部分保留，其余去掉；直流工作点:IB * Rb buie * re = VCC，因此Ubq=Vcc-Ib*Rb，Ucq=Ic*Rc。

它的作用是将微弱的信号放大成大幅度的电信号，也用作无触点开关。只要知道硅管的PN结压降，就很容易判断锗硅管，基极电流可以认为是。为了求解未知量，两个方程求解两个未知数VBE =，IB =（UCC-UBE）/Rb；IC = Ib *β；UC = Ucc-Ic * Rc；rbe = rbb（β）* Ie；则ri = Rb//rbe；Ro=Rc。