场效应管 电路,在FET的等效电路上

MOS FET功率开关电路MOS FET也称为金属氧化物半导体场效应晶体管。下面简述由C-MOS场效应晶体管（增强型MOS场效应晶体管）组成的应用电路的工作过程（见图，场效应晶体管有共源极和共漏极两种连接方式（对应晶体管放大电路共发射极和共集电极的连接方式），通常，场效应晶体管广泛用于开关电源电路中，与晶体管相比，它具有开关速度快、导通电阻低、输入阻抗高、功耗低、频响高、功率大等优点，它是一种电压型控制元件，晶体管常用于信号放大电路。

这是一个典型的场效应晶体管共源极放大器电路:电压放大系数Av=-gmRd=-mK，实用电路如下（N沟道增强型MOS晶体管的电路形式最简单，因此选择导通电阻小的MOS晶体管，耐压不必很高。场效应晶体管微变的等效电路在教科书中有，应该阅读；然后将输入端的电阻和输出端的电阻相加，如下图所示。可以看出，输入端相当于开路，即没有电流流过电阻Rg，因此Rg可以忽略；同样，rds通常比Rd大得多。

电路图如下图所示，并附有具体的元件型号:有关具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路的详细分析，请参见文章“具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路”。但要求展示P沟道MOS FET的工作过程，其工作原理类似，此处不再赘述，增强型MOS FET可分为NPN型和PNP型。目前，图示的MOS晶体管已经达到上限，除非有足够的冷却措施，否则稳定性不够。