p-i-n结 加电压,当正电压施加于pn结时

-你的陈述有问题。在不使用导线连接电源的情况下，能否将反向电压加到PN结上？当直流电压加在PN结上时，当直流电压加到PN结上时，一部分额外的直流电压落在PN结区，pin结的空间电荷区在I型层（本征层）两侧的界面附近，因此存在两个空间电荷区（即p-i和n-i界面上的空间电荷区），其中一个包含正电荷，另一个包含负电荷。

P-i-n结二极管不像APD那样具有很强的增益，但其光生电流与光强具有良好的线性关系，量子效率更高。同时，它还具有结构简单、速度快、工作电压低、偏置电路简单、成本低等优点。但在开始时，由于施加的电压很低，P-N结的内部电场仍然阻碍载流子的运动，基本上没有电流流过P-N结。

从特性曲线可以看出，当二极管正向连接时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。这是因为:轻掺杂非晶硅的费米能级移动较小，如果使用两侧轻掺杂或一侧重掺杂的材料，能带弯曲较小，电池的开路电压受到限制；如果重掺杂的p和n材料直接用于形成p -n结，那么。当PN节点接方向电压时，相当于P节点接负电，N节点接正电。

在PN段，P段的空穴是聚阴离子，带正电荷，N段的自由电子是聚阴离子，带负电荷。当PN段接触时，接触区附近的电子和空穴复合，形成具有一定宽度的耗尽层，如果接反相电源，P区和N区同时被导线短路，外部电源会直接短路。正离子和负离子区域形成内部电场，P部分的正电荷空穴向负极移动。内部电场是如何形成的:P区的空穴扩散到N区，N区的自由电子扩散到P区，由于空穴的损失，两个区域接触P区时产生负离子区；由于自由电子的损失，N区附近的两个区域之间的接触产生了正离子区。