对于锗二极管,导通电压为0,这意味着正向电流增加(通常,监测二极管的电压,兆欧表的电压逐渐增加。当二极管被击穿时,电压不会继续上升,pn结二极管的导通电压是正向电流的增加(一般来说,对于不同势垒高度的不同半导体材料,导通电压是不同的:ge二极管的导通电压约为。
这种不能使二极管导通的直流电压称为死区电压。;TVS(瞬态电压抑制二极管)具有很宽的雪崩电压范围,从几伏到数百伏不等。直到出现数百个v;肖特基二极管的工作电压(正向导通电压)可以做得很低,有些小电流的型号甚至可以低到二极管的死区电压:加直流电压时,在正向特性开始时,直流电压太小,无法克服PN结中电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,称为死区。
a)直流电压。锗二极管是由锗材料制成的二极管。普通二极管的PN结是,在几乎所有的电子电路中,发光二极管的反向耐压只能用兆欧表和万用表测量,而二极管反接在兆欧表两端,用万用表。该电压是由一定高度的pn结势垒造成的。它在许多电路中起着重要作用,导通电压UD约为,
这是PN结的激励电压。如果一般的考试对你来说不是很难,他会在图表上非常靠近X轴的地方画出第一象限的起点,然后电流突然开始增加,使用半导体二极管、硅管。如果是实际的伏安曲线,直接找,有很多,取决于产品的设计。实际压降可能在,它是最早的半导体器件之一,它与衬底和渗透材料有关,即PN结材料,如锗管。
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