大电压小电流mosfet,MOS管在电路中的作用

目前功率mosfet多采用垂直导电结构，增加了电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。在使用MOSFET设计开关电源时，大多数人会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压和最大电流，GTR（巨型晶体管）具有高耐压、高电流和良好的开关特性，功率mosfet具有低掺杂的N区，由于其低掺杂浓度，它接近未掺杂的纯半导体材料，即本征半导体，因此它可以承受高电压。

GTR具有以下优点:高耐压、大电流、良好的开关特性、强电流能力、由于降低的饱和电压而导致的低开关速度、电流驱动、大驱动功率、复杂的驱动电路和二次击穿问题。导通电阻是指MOS晶体管导通时源极和漏极之间的电阻，该值越小，开态效果越好。导通电压意味着施加在增强型场效应晶体管的栅极和源极之间的控制电压达到使其开始导通的电压值。