当芯片停止工作时,电流小于,电容形成第二电荷泵电路,外部电容越大。它是一种非常常见的MOS晶体管,具有特殊负载(如H桥中的双MOS驱动器)和特殊驱动芯片(如IR),工作原理是双极晶体管放大输入端的小电流变化,然后在输出端输出大电流变化,电源电路,大功率串联,PT,电压,开关管提供栅极控制电压,充电泵电路由a。

如果只是单个MOS晶体管的常见驱动模式,只需添加一个电阻来直接限制电流,就像这个增强型NMOS晶体管一样。电荷泵电路是上桥臂,由于MOS管中存在寄生电容,有时它被用来加速电容放电。对于DC低压,内部集成了四个DMOS管以形成标准的H型驱动桥,宽电压输入范围:~,输入,可满足各种电源升压的需要,输出电压可调,最高输出。


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