n mos电路图,nmos电路图

参考下图。该电路是一个降压电路，什么是降压电路就是降压电路，功率场效应晶体管开关电路图:场效应晶体管导通时，漏极沟道电阻为几千mω，电路如图所示:工作原理是在三极管的基极输入开关信号来控制LED灯的开启和关闭。该电路中的场效应晶体管包括PMOS和NMOS，由C-MOS场效应晶体管（增强型MOS场效应晶体管）组成的应用电路的工作过程简述如下（见图。

由于图中使用了具有Q和N沟道的MOS晶体管，因此N沟道MOS晶体管的Vgs电压必须大于阈值电压才能导通，并且通常在高端驱动。采用PNP晶体管避免了驱动电路设计的麻烦。当输入电平低时，三极管关断，MOS管导通，灯亮。当输入电平低时，三极管导通，MOS管关断，灯熄灭。FET的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增加了响应时间并限制了最高工作频率。

增强栅极是虚线，耗尽行栅极是实线，P沟道箭头从栅极指向外，N沟道箭头从栅极指向外。还有一种结型场效应晶体管，一般不用，简单判断:看箭头的方向，向内是NMOS，向外的箭头是PMOS。（M、MC、PMOS硕士，硕士，因为Q，如果采用三极管和MOS管的组合，那么只要把Q换成N通MOS管就可以了，因为N通MOS管更成熟更常见，价格也可以。