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1，三极管进入饱和区时CE压降是03V此时BE是07V那BC之间的压

约等于。还有其他小电流影响。可以参考电工学书本。
应该不是吧。

三极管进入饱和区时CE压降是03V此时BE是07V那BC之间的压

2，三极管在一般状态深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少

数电答法？三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。具体的深度饱和电压与具体的型号有关，一般0.3v（功放类的大一些为1点多伏）

三极管在一般状态深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少

3，三极管饱和时是VbeVce而不是VbVc感觉前面的更好理解就

对NPN硅三极管是这样的。因为饱和时ce电压在0.3V以下，深度饱和电压更小。所以深度饱和对提高开关速度是不利的。
是的，Vbe>Vce，只有共射电路，才是Vb>Vc的
确实是啊，不过这个0.7也是实际中基本忽略的吧。

三极管饱和时是VbeVce而不是VbVc感觉前面的更好理解就

4，三极管的饱和导通压降

不是，ce极电压在0.3或者0.3v以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了。。所以叫饱和电压。
饱和压降锗管Uce取0.1V 硅管Uce取0..3V 导通锗管Ube可取0.3V 硅管Ube为0.6~0.7V仅供参考

5，三极管饱和压降02V是什么的来的

应该是这样的，现在绝大部分都是硅三极管的，Ube一般都是0.7V左右，但是深度饱和工作时候Uce大约差不多就是0.2V了。基极电压和集电极电压一样大的时候三极管也算是饱和了，但是没有深度饱和，也是可以工作的。最主要是你要明白需要什么性能，电路当前工作在什么状态，有时也有需要用肖特基钳位三极管防止达到深度饱和，这样可以比深度饱和更快点断开的。
根据晶体材料使用决定，锗晶体的结压降就是这样。

6，三极管BE间压降为07V左右为什么有加大BE电压可以增大电流BE

大家都知道三极管是电流控制元件,不同于如场效应管等COMS的电压控制型,be间的0.7v是它的固有特性(实际在0.55-0.75之间都正常),要增大电流并不是靠加大BE电压,而是用加大b极的输入电流来达到的,只不过在加大电流的同时势必会使电压上升少许,由欧姆定律可知:U=I*R I的变化量为数十至数百微安级,R为数K级,所以U的变化量(即BE间压降)一般在0.2v以内,相对来说电压变化不明显,也不容易用它来控制集电极电流,现实电路中测量三极管BE间压降为0.7V左右只是为了大致判断该管是否正常工作在放大区罢了.
逻辑问题。二极管U-I曲线看到了吗？一个U对应一个I。BE电压不是固定的。BE是个可变电阻。从设计电路的角度。第一步，确定Ic的工作电流大小。根据β反推Ib电流。然后根据Ib电流，用外电路根据Ube-I被设置be二极管的压降。比如，我要Ic工作在10ma，反推Ib=10/β=0.1ma。查三极管的BE二极管曲线。发现Ib=0.1mA时，Ube是0.65V。Ok，外电路用个电阻分压，给它刚好0.65V。Ube不是固定的，那个是根据工作电流Ic，设置be电流Ib，然后Ib决定了Ube的电压！二极管曲线！一个U对应一个I。二极管是一个可变电阻。Ube决定Ibe！至于为啥总是认为0.7v？我想，应该是三极管的Ic电流常常设置在很小的毫安，基本都是0.6v~0.7v压降差不多的。这个图是C8050的Ic电压与Ube电压。直接给你画出来了：比如，若想Ic工作在10mA，反推Ib再反推Ube，得到是0.6v；或者想Ic工作在100mA，查图知。必须给Ube设定1v的压降！以满足BE二极管U-I曲线(非线性电路，大家都是取一个点，然后用外电路去匹配它的各项指标，方便！)为什么你会有0.7v的固定观念？教科书惹的祸吧，都是讨论的小信号，小信号常设置的工作电流Ic在几毫安左右，查表对应的Ub也就0.7v左右，所以。。
硅三极管BE间的门槛电压是0.7v，锗三极管BE间的门槛电压是0.2v，而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压，当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时，BE开通，有电流流过，所加电压越高，电流越大，此时BE间呈现低阻状态，BE间电压只是微高于门槛电压。
压降实际上是接近直线的， 理论分析时当作不变。

7，小功率硅三极管的饱和压降为什么是03v有人能解释清楚吗

三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。三极管在饱和状态时，集电极压降未必是0.3V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。扩展资料：常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。参考资料来源：百度百科-三极管
硅管0.3不通导，锗三极管0.3通导，应该是书写错了，锗三极管早就停产，可能是老教材
8050npn三极管小电流饱和Vce好像只有0.01v左右，不到0.1v
对于NPN型的硅三极管，0.7V是PN结正偏时的导通压降，即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降。而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降。由于饱和时，三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue)，集电结正偏(Ub>Uc)，因此，饱和时，C到E之间的压降不可能高于0.7V的，否则就不能满足饱和的条件了。而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围，一般按0.3V估算。可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？ 你们书写错了，饱和时的VCE不可能是0.7V，而是0.3V！
3楼说的不错，我补充一点，小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。
在管子饱和导通时，二个结正向偏置，Vbe约0.7V，Vbc=0.3--0.4V（不为0）；故Vce=Vbe-Vbc=0.3V左右。不知道这样的解释使你满意吗？呵呵！再看看别人怎么说的。

文章TAG：锗三级管的饱和压降为多少v三级  饱和  压降  
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