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1，TTL电平与CMOS电平的区别

TTL与CMOS相比，电平不同，需要有转换电路才能连接。区别是TTL电流大，速度快，功耗大，CMOS电流小，速度稍慢，功耗小，对称性好，在CMOS里也没有悬空表示高电平的说法，而是不定态，在应用中输入信号要避免悬空

TTL电平与CMOS电平的区别

2，TTL和CMOS的高电平和低电平范围分别是什么

TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。 就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平；>3.4V为输出高电平。 而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。 1，TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平 是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是 0.4V。 2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

TTL和CMOS的高电平和低电平范围分别是什么

3，什么是CMOS和TTL电平

TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 用TTL电平他们就可以兼容

什么是CMOS和TTL电平

4，什么是TTL电平CMOS电平区别

1.CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 2.COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当 6.CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。8.TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。希望采纳

5，TTL电平与CMOS电平有什么不同

TTL电平,TTL的电源工作电压是5V，所以TTL的电平是根据电源电压5V来定的。CMOS电平，CMOS的电源工作电压是3V - 18V，CMOS的电源工作电压范围宽，如果你得CMOS的电源工作电压是12V，那么这个CMOS的输入输出电平电压要适合12V的输入输出要求。即CMOS的电平，要看你用的电源工作电压是多少，3v - 18V，都在CMOS的电源工作电压范围内，具体数值，看你加在CMOS芯片上的电源工作电压是多少。

6，TTL和CMOS的区别

TTL电平与CMOS电平的区别：(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。(三)TTL电平标准输出 L： <0.8V ; H：>2.4V。输入 L： <1.2V ; H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。CMOS电平：输出 L： <0.1*Vcc ; H：>0.9*Vcc。输入 L： <0.3*Vcc ; H：>0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配(VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的)。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。74LS和54系列是TTL电路，74HC是CMOS电路。如果它们的序号相同，则逻辑功能一样，但电气性能和动态性能略有不同。如，TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS为> 3.6V。如果CMOS电路的前一级为TTL则隐藏着不可靠隐患，反之则没问题。

7，TTL电平与CMOS电平有何不同

就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平；>3.4V为输出高电平。而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。至于为什么你的测试台不能与高端PC连接，如果是两者电平不同，你可以在其接口上接电平转换器，这东西市面上有很多。
ttl电平,ttl的电源工作电压是5v，所以ttl的电平是根据电源电压5v来定的。cmos电平，cmos的电源工作电压是3v - 18v，cmos的电源工作电压范围宽，如果你得cmos的电源工作电压是12v，那么这个cmos的输入输出电平电压要适合12v的输入输出要求。即cmos的电平，要看你用的电源工作电压是多少，3v - 18v，都在cmos的电源工作电压范围内，具体数值，看你加在cmos芯片上的电源工作电压是多少。

8，电平范围TTL和CMOS

TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。 就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是&lt;0.2V为输出低电平；&gt;3.4V为输出高电平。 而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。 1，TTL电平： 输出高电平&gt;2.4V,输出低电平&lt;0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平 是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平&gt;=2.0V，输入低电平&lt;=0.8V，噪声容限是 0.4V。 2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

9，什么是TTL电平CMOS电平区别

1.CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 2.COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当 6.CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。8.TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。希望采纳
TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
ttl与cmos相比，电平不同，需要有转换电路才能连接。区别是ttl电流大，速度快，功耗大，cmos电流小，速度稍慢，功耗小，对称性好，在cmos里也没有悬空表示高电平的说法，而是不定态，在应用中输入信号要避免悬空

10，TTL和CMOS电平在使用过程中有什么本质的区别为什么有的芯片是

(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。EDA中国门户网站 e q C9f Q TTL电路不使用的输入端悬空为高电平，另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。(三)TTL电平标准输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。输入 L： <1.2V ； H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。CMOS电平：输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc. 一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。 例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。TTL与CMOS电平使用起来有什么区别?1. 电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域或者称更宽的噪声容限。 同是5伏供电的话，TTL一般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是2.2V,2.9V的样子，不准确，仅供参考。2。电流驱动能力不一样，TTL一般提供25毫安的驱动能力，而CMOS一般在10毫安左右。3。需要的电流输入大小也不一样。TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件;一般TTL需要2.5毫安左右，CMOS几乎不需要电流输入。4。TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。5。很多器件都是兼容TTL和CMOS的，datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能，一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能引起电路工作不正常，因为有些TTL电路需要下一级的输入阻抗作为负载才能正常工作。
ttl集成电路使用ttl管，也就是pn结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5v cmos集成电路使用mos管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。 就ttl与cmos电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2v为输出低电平；>3.4v为输出高电平。 而cmos电平就不同了，他的阀值电压比ttl电平大很多。而串口的传输电压都是以coms电压传输的。 1，ttl电平： 输出高电平>2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下，一般输出高电平是3.5v，输出低电平 是0.2v。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0v，输入低电平<=0.8v，噪声容限是 0.4v。 2，cmos电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
差不多吧，只是设定电压有所不同。CMOS集成电路易被静电击穿。

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